半導體情報雜志北大期刊統(tǒng)計源期刊

半導體情報雜志簡介

本刊以馬列主義、思想、鄧小平理論和“三個代表”重要思想為指導，全面貫徹黨的教育方針和“雙百方針”，理論聯(lián)系實際，開展教育科學研究和學科基礎理論研究，交流科技成果，促進學院教學、科研工作的發(fā)展，為教育改革和社會主義現(xiàn)代化建設做出貢獻。

半導體情報雜志欄目設置

材料與結構、MEMS與傳感器、加工、測量與設備

半導體情報雜志榮譽信息

• Caj-cd規(guī)范獲獎期刊
• 中國優(yōu)秀期刊遴選數(shù)據(jù)庫
• 中國期刊全文數(shù)據(jù)庫（CJFD）
• 中國學術期刊（光盤版）全文收錄期刊
• 中國科技期刊優(yōu)秀期刊
• 北大圖書館收錄期刊

半導體情報雜志訂閱方式

地址：石家莊市合作路113號，郵編：050002。

半導體情報雜志社投稿須知

1.來稿要求論點明確、數(shù)據(jù)可靠、邏輯嚴密、文字精煉，每篇論文必須包括題目、作者姓名、作者單位、單位所在地及郵政編碼、摘要和關鍵詞、正文、參考文獻和第一作者及通訊作者（一般為導師）簡介（包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學位、目前主要從事的工作和研究方向），在文稿的首頁地腳處注明論文屬何項目、何基金（編號）資助，沒有的不注明。

2.論文摘要盡量寫成報道性文摘，包括目的、方法、結果、結論4方面內容（100字左右），應具有獨立性與自含性，關鍵詞選擇貼近文義的規(guī)范性單詞或組合詞（3～5個）。

3.文稿篇幅（含圖表）一般不超過5000字，一個版面2500字內。文中量和單位的使用請參照中華人民共和國法定計量單位最新標準。外文字符必須分清大、小寫，正、斜體，黑、白體，上下角標應區(qū)別明顯。

4.文中的圖、表應有自明性。圖片不超過2幅，圖像要清晰，層次要分明。

5.參考文獻的著錄格式采用順序編碼制，請按文中出現(xiàn)的先后順序編號。所引文獻必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版文獻。未公開發(fā)表的、且很有必要引用的，請采用腳注方式標明，參考文獻不少于3條。

6.來稿勿一稿多投。收到稿件之后，5個工作日內審稿，電子郵件回復作者。重點稿件將送同行專家審閱。如果10日內沒有收到擬用稿通知（特別需要者可寄送紙質錄用通知），則請與本部聯(lián)系確認。

7.來稿文責自負。所有作者應對稿件內容和署名無異議，稿件內容不得抄襲或重復發(fā)表。對來稿有權作技術性和文字性修改，雜志一個版面2500字，二個版面5000字左右。作者需要安排版面數(shù)，出刊日期，是否加急等情況，請在郵件投稿時作特別說明。

8.請作者自留備份稿，本部不退稿。

9.論文一經發(fā)表，贈送當期樣刊1-2冊，需快遞的聯(lián)系本部。

10.請在文稿后面注明稿件聯(lián)系人的姓名、工作單位、詳細聯(lián)系地址、電話（包括手機）、郵編等信息，以便聯(lián)系有關事宜。

半導體情報雜志范例

器件與技術

石墨烯／Si晶體管的研究進展

半導體量子點敏化太陽電池的最新進展

材料與結構

Ti—Al—V—O納米管陣列的制備與熱穩(wěn)定性研究

C20富勒烯分子及C20^±富勒烯離子特性分析與比較

用于OLED的碳納米管

MEMS與傳感器

MEMS交叉梳齒光柵設計和優(yōu)化

基于SP4T開關的4位MEMS開關線式移相器設計

加工、測量與設備

Si0.2Ge0.8／Ge異質結的離子束輔助固相外延生長

基于高效太陽電池的光誘導鍍技術

基于介電泳機理的金納米顆粒傳感器裝配方法

300mm銅膜低壓CMP速率及一致性